Podczas konferencji SK AI Summit 2025 w Seulu południowokoreański producent pamięci przedstawił plan rozwoju swoich technologii na kolejne sześć lat. SK hynix pokazał, w jakim kierunku będą się rozwijać układy RAM, NAND oraz rozwiązania projektowane z myślą o sztucznej inteligencji i obliczeniach wysokiej wydajności.
Firma, która od lat należy do czołówki producentów pamięci HBM, zapowiedziała wprowadzenie HBM4 z 16-warstwowymi stosami oraz HBM4E w wariantach 8-, 12- i 16-warstwowych. Ten typ pamięci będzie kluczowy dla przyszłych układów AI, procesorów serwerowych i kart graficznych, które muszą obsługiwać coraz większe modele generatywnej sztucznej inteligencji.
Na lata 2029-2031 SK hynix planuje kolejną generację – HBM5 i HBM5E. Mają one zapewnić jeszcze wyższą przepustowość i lepszą efektywność energetyczną, co pozwoli sprostać wymaganiom nadchodzących akceleratorów AI. Prace nad tymi układami prowadzone są we współpracy z producentami procesorów i układów graficznych.
Pamięci RAM w naszej ofercie:
DDR6, GDDR7-next i pamięć dla AI
Równolegle firma rozwija klasyczne linie RAM. W końcówce dekady ma pojawić się DDR6 przeznaczony dla komputerów stacjonarnych i serwerów oraz GDDR7-next, czyli pamięć dla przyszłych kart graficznych. W tym samym okresie planowany jest rozwój 3D RAM, nad którym pracują już największe firmy w branży. Ten kierunek ma pozwolić zwiększyć gęstość upakowania komórek pamięci i zmniejszyć zużycie energii.
Ważną częścią ogłoszonej strategii są produkty stworzone z myślą o sztucznej inteligencji. W serii AI-D (dla RAM) i AI-N (dla pamięci masowych) pojawią się między innymi LPDDR6 SOCAMM2, MRDIMM Gen2, CXL LPDDR6 oraz QXL PiM-Next trzeciej generacji. Ten ostatni projekt łączy pamięć z modułami przetwarzania danych. Dzięki temu część obliczeń może być wykonywana bezpośrednio w strukturze układu, co skraca czas operacji i ogranicza zużycie energii.
NAND z ponad 400 warstwami i PCIe Gen7
W segmencie pamięci flash NAND SK hynix planuje do 2028 roku wprowadzenie 4D NAND przekraczającej 400 warstw. Pozwoli to znacząco zwiększyć pojemność dysków SSD przy zachowaniu wysokiej wydajności. W tym samym czasie mają się pojawić nowe modele SSD korzystające z interfejsów PCIe Gen5 i Gen6 oraz eSSD i cSSD dla centrów danych. Wśród nowości znajdzie się też UFS 5.0 przeznaczony do smartfonów i innych urządzeń mobilnych.
Na przełomie dekady zadebiutują kolejne generacje nośników – PCIe Gen7 SSD i UFS 6.0. SK hynix planuje też rozwój produktów oznaczonych jako AI-N P (Storage Next) i AI-N B (HBF), które będą pełnić funkcję pamięci masowych zoptymalizowanych pod kątem przetwarzania danych w systemach opartych o sztuczną inteligencję.
Kurs na przyszłość
Z zaprezentowanego harmonogramu wynika, że SK hynix chce utrzymać pozycję jednego z liderów w branży pamięci. Firma stawia na technologie, które będą napędzać rozwój AI, HPC i rozwiązań chmurowych. Najbliższe lata zapowiadają się więc jako okres intensywnej rywalizacji z konkurentami, takimi jak Samsung czy Micron.
Jeśli plan zostanie zrealizowany zgodnie z zapowiedziami, na przełomie dekady rynek pamięci RAM i NAND może wejść w zupełnie nowy etap, w którym wydajność i efektywność energetyczna osiągną poziom jeszcze kilka lat temu trudny do wyobrażenia.
